безплатна доставка
на поръчки над 100 EUR
Ти знаеш откъде!
SAMSUNG 980 PRO 2TB
Solid State Drive (SSD) SAMSUNG 980 PRO, 2TB, M.2 Type 2280, MZ-V8P2T0BW
Арт. номер: SAM-SSD-MZ-V8P2T0BW
безплатна доставка
на поръчки над 100 EUR
Технически характеристики
| Гаранция | 60 месеца |
| Тип | NVMe |
| Интерфейс | PCIe Gen 4.0 |
| Форм фактор | M.2 2280 |
| Капацитет | 2000 GB |
| Скорост на четене | до 7000 MB/s |
| Скорост на писане | до 5100 MB/s |
| Random Read IOPS | до 1000 k |
| Random Write IOPS | до 1000 k |
Свързани продукти
Интерфейс:
PCIe Gen 3.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
500 GB
Скорост на четене:
до 3100 MB/s
Скорост на писане:
до 2600 MB/s
Интерфейс:
SATA III
Форм фактор:
2.5"
Капацитет:
500 GB
Скорост на четене:
до 560 MB/s
Скорост на писане:
до 530 MB/s
Интерфейс:
SATA III
Форм фактор:
2.5"
Капацитет:
240 GB
Скорост на четене:
до 550 MB/s
Скорост на писане:
до 520 MB/s
Интерфейс:
SATA III
Форм фактор:
2.5"
Капацитет:
1000 GB
Скорост на четене:
до 560 MB/s
Скорост на писане:
до 530 MB/s
Интерфейс:
PCIe Gen 4.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
1000 GB
Скорост на четене:
до 7450 MB/s
Скорост на писане:
до 6900 MB/s
Тип:
NVMe
Интерфейс:
PCIe Gen 3.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
250 GB
Скорост на четене:
до 2900 MB/s
Скорост на писане:
до 1300 MB/s
Интерфейс:
PCIe Gen 5.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
1000 GB
Скорост на четене:
до 14700 MB/s
Скорост на писане:
до 13300 MB/s
Интерфейс:
SATA III
Форм фактор:
2.5"
Капацитет:
250 GB
Скорост на четене:
до 560 MB/s
Скорост на писане:
до 530 MB/s
Интерфейс:
PCIe Gen 4.0, PCIe Gen 5.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
1000 GB
Скорост на четене:
до 7150 MB/s
Скорост на писане:
до 6300 MB/s
Интерфейс:
PCIe Gen 4.0, PCIe Gen 5.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
2000 GB
Скорост на четене:
до 7250 MB/s
Скорост на писане:
до 6300 MB/s
Интерфейс:
PCIe Gen 3.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
1000 GB
Скорост на четене:
до 3500 MB/s
Скорост на писане:
до 3000 MB/s
Интерфейс:
PCIe Gen 4.0
Форм фактор:
M.2 2280
Капацитет:
1000 GB
Скорост на четене:
до 7450 MB/s
Скорост на писане:
до 6900 MB/s
Спецификации
| Приложение | Персонални компютри | Капацитет | 2,000GB (1 GB = 1 милиард байта по IDEMA) * Действителният използваем капацитет може да е по-малък (поради форматиране, разделяне на диска на сектори, операционна система, приложения или друго) |
| Тип форма | M.2 (2280) | Интерфейс | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c |
| Размери (ШxВxД) | 80.15 x 22.15 x 2.38 (мм) | Тегло | Максимално тегло 9.0 г |
| Памет за съхранение | Samsung V-NAND 3-bit MLC | Контролер | Контролер Samsung Elpis |
| Кеш памет | Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM |
Специална функция
| Поддръжка на TRIM | Поддържа се | Поддръжка на S.M.A.R.T | Поддържа се |
| GC (Събиране на отпадъците) | Auto Garbage Collection Algorithm | Поддръжка на криптиране | AES 256-bit криптиране (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (криптирано устройство) |
| Поддръжка на WWN | Не се поддържа | Поддръжка на спящ режим на устройството | Да |
Ефективност
| Последователно четене | До 7000 MB /сек *Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата | Последователен запис | До 5100 MB/сек *Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата |
| Произволно четене (4KB, QD32) | До 1000000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата | Произволен запис (4KB, QD32) | До 1000000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата |
| Произволно четене (4KB, QD1) | До 22000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата | Произволен запис (4KB, QD1) | До 60000 IOPS *Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата |
Среда
| Средна консумация на енергия (системно ниво) | *Средно: 6,1 W *Максимум: 7,2 W (режим Burst) *Действителната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата | Консумация на енергия (при покой) | Макс. 35 mW *Действителната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата |
| Допустимо напрежение | 3.3 V ± 5 % допустимо напрежение | Надеждност (MTBF) | 1,5 милиона часа надеждност (MTBF) |
| Работна температура | 0 - 70℃ работна температура | Удар | 1500 G & 0,5 ms (половин синусоида) |
